Данный тип печей предназначен для прецизионной обработки мелких партий изделий, изделий нестандартной формы, а также для лабораторных и научных исследований.
Термическая диффузия - физико-химический процесс, изменяющий структуру поверхности обрабатываемого изделия в условиях термостабилизации и контролируемой атмосферы.
Данная установка обеспечивает непрерывное нахождение изделий в вакууме, а загрузка и выгрузка происходит с помощью отдельно герметизируемых шлюзовых боксов.
Данные установки заменят имеющиеся без необходимости изменения техпроцесса, а применяемые современные комплектующие и материалы позволят увеличить срок службы и упростить обслуживание.
Для обучения студентов и проведения научных исследований требуются компактные установки небольших размеров и мощности. Такие установки легко помещаются в любых лабораториях.
Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира из расплава. Метод Киропулоса характеризуется малыми температурными градиентами на фронте кристаллизации.
Предназначены для выращивания монокристаллов кремния из расплава. Могут применяться для выращивания монокристаллов кремния «солнечного» и полупроводникового качества, диаметром от 75 до 300 мм.
Предназначены для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs). Выращивание производится по методу Чохральского с жидкостной герметизацией расплава (LEC).
Установка предназначена для плавления, синтезирования и выращивания методом Чохральского монокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) с последующим отжигом выращенного кристалла.