Деловая сеть Тула
Компании:8 345
Товары и услуги:4 362
Статьи и публикации:452
Тендеры и вакансии:120

Камеры

Предложения из соседних регионов:
Москва
Данный тип печей предназначен для прецизионной обработки мелких партий изделий, изделий нестандартной формы, а также для лабораторных и научных исследований.
Москва
Термическая диффузия - физико-химический процесс, изменяющий структуру поверхности обрабатываемого изделия в условиях термостабилизации и контролируемой атмосферы.
Москва
Термокомпрессия - способ соединения металлов с металлами и неметаллами давлением с подогревом при относительно невысоких удельных давлениях.
Москва
Данная установка обеспечивает непрерывное нахождение изделий в вакууме, а загрузка и выгрузка происходит с помощью отдельно герметизируемых шлюзовых боксов.
Москва
Данные установки заменят имеющиеся без необходимости изменения техпроцесса, а применяемые современные комплектующие и материалы позволят увеличить срок службы и упростить обслуживание.
Москва
Для обучения студентов и проведения научных исследований требуются компактные установки небольших размеров и мощности. Такие установки легко помещаются в любых лабораториях.
Москва
Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира из расплава. Метод Киропулоса характеризуется малыми температурными градиентами на фронте кристаллизации.
Москва
Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира и рубина по любой кристаллографической ориентации, том числе по С-ориентации (0001).
Москва
Предназначены для выращивания монокристаллов кремния из расплава. Могут применяться для выращивания монокристаллов кремния «солнечного» и полупроводникового качества, диаметром от 75 до 300 мм.
Москва
Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира любой кристаллографической ориентации в виде пластин.
Москва
Предназначены для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs). Выращивание производится по методу Чохральского с жидкостной герметизацией расплава (LEC).
Москва
Установка предназначена для плавления, синтезирования и выращивания методом Чохральского монокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) с последующим отжигом выращенного кристалла.
3 страницы
1 2 3
×